跳至內容

討論:靜態隨機存儲器

頁面內容不支援其他語言。
維基百科,自由的百科全書
基礎條目 靜態隨機存儲器屬於維基百科科技主題的基礎條目第五級。請勇於更新頁面以及改進條目。
          本條目頁屬於下列維基專題範疇:
電子學專題 (獲評未知重要度
本條目頁屬於電子學專題範疇,該專題旨在改善中文維基百科電子學相關條目類內容。如果您有意參與,請瀏覽專題主頁、參與討論,並完成相應的開放性任務。
 未評級未評  根據專題品質評級標準,本條目頁尚未接受評級。
 未知  根據專題重要度評級標準,本條目尚未接受評級。

Untitled

[編輯]

關於這一句:「除此之外,由於SRAM通常都被設計成一次就讀取所有的資料位元(Bit),比起高低位址的資料交互讀取的DRAM,在讀取效率上也快上很多。」
是否是指操作在Burst Mode的DRAM?Burst Mode是連續讀取相鄰地址資料一種快速操作,通過預先讀入Burst Length和起始地址,在RAM內部生成後續地址來加快讀取速度。
事實上相當多SRAM商業產品也具有Burst Mode。我想讀取方式只是一種設計方法而已,不能算是DRAM與SRAM的區別。SRAM與DRAM在速度上的分別,並不是由於存儲器操作模式的設計方法引起的,而是由於兩者的存儲單元讀出的方式不同帶來的。
關於這一句:「只是,相對於DRAM,SRAM在斷電後資料消失的速率會比較慢些。」
沒有任何證據能夠證明這一點。刪除了。
--綿羊 06:11 2006年12月15日 (UTC)